Die nahe Zukunft

Das BTX-Format ("Balanced Technology Extended Interface Specification") ist als Nachfolger des ATX-Formats als Formfaktor für PCs gedacht. Der neue Standard wurde erstmals 2003 auf dem Intel Developer Forum (IDF) vorgestellt. Ähnlich wie beim ATX-Format existieren zusätzliche Formfaktoren für kleinere Gehäuse, einmal MicroBTX und das noch kleinere Format PicoBTX.
-Bessere Kühlung, insbesondere für die Wärmequellen Hauptprozessor, Chipsatz und Grafikkarte, da sich die wichtigsten Komponenten nun auf einer Ebene befinden, in welcher der Luftstrom des Kühlers vorbeizieht
-Senkung des Betriebsgeräusches durch eine bessere Anordnung der Bauteile und eine geringere Zahl an Lüftern
-Weniger Ausfälle der CPU von Vibration und mechanischen Belastungen durch das SRM (Standard Support and Retention Module)
Das Gehäuse wird nun in Zonen aufgeteilt, in denen sich nur bestimmte Bauteile wie z.B. der Hauptprozessor befinden dürfen. Das Mainboard wird nun auf der linken statt auf der rechten Seite eingebaut (von vorne gesehen) Die Grafikkarte befindet sich nun im Luftstrom, nicht wie bei ATX in einem stehenden Luftpolster. Zusätzlich befindet sich der Grafikchip nun auf der Oberseite der Grafikkarte, sodass Hitze nach oben entweichen kann Ansaugen von Luft aus dem vorderen Gehäuseteil, damit ein Luftstrom entsteht PCI-Express (x16) als Standardsteckplatz Der 4-polige 12V-Stecker zur stabileren Stromversorgung des Prozessors ist vorgeschrieben

Der Sockel AM2 ist der Nachfolger zum Sockel 939. Der Sockel F wird der Nachfolger des Sockel 940.Ein weiterer wesentlicher Unterschied zum aktuellen Sockel 939 ist, dass der gestiegene Strombedarf berücksichtigt werden muss (Stichwort Quadcore). Dies sind aber unbestätigte Meldungen diverser Quellen. Die Spitzenmodelle für den Sockel AM2 sollten laut inoffizieller AMD-Roadmap der FX62 mit noch unbekannten Takt werden und Athlon 64 X2 5000+, bei dem ebenfalls noch keine Einzelheiten bekannt sind.

DDR3-SDRAM ist eine Weiterentwicklung des Konzeptes von DDR2-SDRAM bei dem statt mit einem Vierfach-Prefetch mit einem Achtfach-Prefetch gearbeitet wird. Die neuen Chips mit einer Kapazität von 512 MBit sollen Daten mit 1066 MBps verarbeiten und damit deutlich schneller sein als heutiges DDR-400 oder auch DDR2-667 SDRAM. Darüber hinaus benötigt DDR3-SDRAM auch nur noch 1,5 Volt und ist damit gerade für den mobilen Einsatz besser geeignet, bei dem es auf lange Batterielaufzeiten ankommt.
Laut Samsung soll DDR3-SDRAM in 80 nm Prozesstechnologie hergestellt werden und ab 2006 auf dem Markt erhältlich sein. Man erwartet, dass sich die neue Speichergeneration bis spätestens 2007 durchgesetzt hat und bis 2009 einen Marktanteil von 65 % am gesamten DRAM-Markt erreichen wird. Im Bereich des Video-RAMs wird schon seit längerem GDDR3 eingesetzt. Dieser basiert aber auf DDR2 Speicherchips, lediglich die Spannung wurde abgesenkt. (Spannung VDD,VDDQ = 1,8 V, 1,8 V anstatt 2,5 V, 1,8 V) Die Bezeichnung GDDR3 besitzt keine offiziellen Spezifikationen, sondern wurde aus Marketing-Gründen gewählt (um sich von den weniger erfolgreichen GDDR2 abzugrenzen).

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