BEDO-DRAM

Burst Extended Data Out = BEDO

Das Bild zeigt das Timing-Diagramm eines BEDO-DRAMs im Burst-Mode. Die nächste Stufe in der Entwicklung der DRAM-Technologie kam vom amerikanischen Speicherhersteller Micron mit den Burst-EDO-DRAMs. BEDOs besitzen intern einen 2-Bit-breiten Adressgenerator. Bei einem Burst-Zugriff muss die Speichersteuerung nur die erste Adresse an den Speicher übergeben. Die nachfolgenden drei Spaltenadressen generiert der interne Adressgenerator des BEDOs von alleine. Der Chipsatz braucht für einen Burst-Lesezyklus somit nur noch den Anstoß zu geben. Zusätzlich sind BEDO-DRAMs intern in Dual-Bank-Architektur aufgebaut. Die Adressierung der Spaltenadressen erfolgt somit in einem Pipeline-Verfahren. Während die eine Bank noch mit der Ausgabe von Daten blockiert ist, findet zeitlich überlagert schon die Adressierung der nächsten Spalte statt.
Nachteilig erscheint auf den ersten Blick, dass die Daten des ersten Lesezugriffs nicht als Ergebnis des ersten CAS-Zyklus, sondern erst mit dem Zweiten am Ausgang anliegen. Durch den geringen RAS-CAS-Delay und die viel kürzeren CAS-Zyklen fällt dies aber nicht ins Gewicht.

Durch die BEDO-Technik, die wie FPM und EDO nur im Burst-Modus ihre Effizienz ausspielt, ergibt sich eine weitere Geschwindigkeitssteigerung. Im Page Mode verkürzt sich die CAS-Zykluszeit allerdings auf nur 15 ns. Bei einem PC mit 66 MHz Bustakt können somit bei jeder Taktperiode Daten übertragen werden. Damit ergibt sich ein bestmöglicher Lese-Burst von 5-1-1-1. Im Idealfall erhöht sich in einer 64-Bit-Rechnerarchitektur die maximale Bandbreite auf gut 500 MByte/s.

BEDO-DRAM kann zusätzlich durch die interne Adressgenerierung und die Dual-Bank-Architektur auch Schreibzugriffe im Burst-Mode beschleunigen. Der größte Nachteil aber der BEDO-DRAMs ist die Unfähigkeit mit Taktfrequenzen über 66 MHz zu arbeiten. Die mangelnde Unterstützung seitens der Chipsatzhersteller und die herannahende SDRAM-Technologie mit ihren hohen Taktraten bescherten den BEDOs somit nur ein kurzes und unbedeutendes Leben auf dem Speichermarkt. Nur der für den Pentium Pro entwickelte Intel 450GX Chipsatz (Codename Orion) konnte BEDO-DRAM ausnutzen. Server-Applikationen sollte damit ein erhöhten Speicherdurchsatz zur Verfügung stehen.


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