Vorgeschichte:
Robert Noyce wuchs in Grinell, einer Kleinstadt in Iowa auf. In seinen Kindheits- und frühen Jugendjahren besuchte er jede Woche die Sonntagsschule. Dadurch lernte er so viel das er beim Abschluss einen so guten Notendurchschnitt erzielte, dass er die Abschlusrede halten durfte. Er wurde schon das Quiz-Kid genannt, das auf jede Frage eine Antwort wusste. Noyce promovierte im Massachusetts Institute of Technologie.
Er stand überall im Mittelpunkt - ob in der Schule, auf Parties oder im Büro.
Ganz anders dagegen sein Intel-Gründungsgefährte Gordon Moore. Beide trafen sich zum ersten mal bei Fairchild Semiconducter, wo Moore Noyce als Forschungs- und Entwicklungsleiter unterstellt war. Moore's liebste Hobbies waren Angeln und mit dem Boot herumfahren. Er war also menschlich gesehen gerade das Gegenteil von Robert Noyce, doch beide waren geniale Ingenieure. Auch waren beide mit Intel® nicht zum ersten mal Firmengründer geworden. Beide waren in dem 8-köpfigen Gründungsgremium bei Fairchild. 1957 investierte Sherman Fairchild - der schon ein Fairchild Unternehmen hatte, jedoch keine Halbleiter-Bausteine produzierte - in ein Tochterunternehmen, das sich auf die Fertigung von Halbleitern spezialisierte. Verantwortlich für diese Zweigstelle waren eben diese 8 und wenn die Sache erfolgreich sein sollte, hätte die Firma die Option gehabt jeden dieser 8 mit 300000 Dollar auszubezahlen. Und als die Sache dann erfolgreich war wurde jeder dieser 8 zu einem reichen Mann. Doch danach hatten sie bei Fairchild Semiconductor nicht mehr viel zu sagen. Nur wenige von Moore's entwickelten Produkten wurden wirklich gebaut obwohl die Elektronik damals in einem Wendepunkt war als die Halbleiter die Magenetkernspeicher abzulösen begannen. Entscheidungen trafen nur noch Wirtschaftsprüfer aus Soysset/New York. Danach lösten sich nach und nach die Gründungsväter von Fairchild Semiconductor weil es ihnen zu langweilig und zu chaotisch wurde und gründeten eigene Unternehmen. Den Tiefpunkt hatte Faichild 1967 als Charlie Spock ein eigenes Unternehmen aufbaute und viele gute Leute vin Fairchild abwarb.
1968 verließen Noyce und Moore als letzte der 8 Gründungsväter Fairchild Semiconductor.
Als sie dann zusammen Intel® gründeten waren sie also keine jungen Anfänger ohne Geld wie das z. B. bei der Gründung von Microsoft der Fall war . Den Anstoß zur Intel®-Gründung kam von Noyce. Er traf Moore und sagte ihm das er mit ihm das von Moore entwickelte photochemische Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen (IC) - die MOS-Technologie - zum Durchbruch bringen wollte. (MOS bezeichnet den Aufbau eines Transistors nach dieser Technologie. Dabei besteht ein Transistor aus drei Schichten: Eine Metall-Schicht als leitende Schicht, eine Siliziumoxid-Schicht als nicht leitende Schicht und aus einer Schicht Silizium als halbleitende Schicht. Diese Transistoren sollten dann durch dieses photochemische Verfahren auf ein einzigen Stück Silizium aufgeätzt werden.).
Durch den Risikokapitalanleger Arthur Rock schafften es Noyce und Moore das Startkapital von 2,3 Millionen Dollar an einem Nachmittag aufzutreiben. Nicht unwichtig dabei war der gute Ruf von Noyce der den "Integrated Cuircit" der IC erfunden hatte. Noyce und Moore brachten je 250000 Dollar auf und Rock und das Massachusetts Institute of Technologie brachten auch je 300000 Dollar auf. Der Rest kam von anderen Investoren und Aktien-Brokern. Am 17. Juli 1968 lagen die offiziellen Gründungsunterlagen vor und so war der Weg frei für den erfolgreichsten Chipproduzenten der Welt: Intel.
Die Intel®-Welt nach dem Sommer 1968:
Nach dem die beiden das Geld hatten kauften sie das von Union Garbide Elektronics aufgegebene Gebäude und brachte dort die Zielsetzungen auf einem einzigen, mit Schreibmaschine geschriebenem Blatt Papier auf den Punkt.
Am Anfang wollte sich Intel® auf die Herstellung von Halbleiter-Speicherchips spezialisieren. Doch ein großen Hindernis waren dabei die hohen Kosten. Ein Speicherelement auf Halbleiterbasis kostete 100 mal mahr pro Speicher-bit, als ein Herkömmlicher Magnetkern-Speicher. Man wollte aber die besten Arbeitsspeicher der Welt bauen und da ist die Halbleitertechnik eben die beste Möglichkeit. Ziel war auch die VLSI, die very large scale integration. Dabei wird die Integrationsdichte von Transistoren, Kondensatoren,... auf Chips immer weiter erhöht. Doch am Anfang hatte man große Probleme bei der Umsetzung des Vorhabens die MOS-Technologie zum Durchbruch zu bringen, denn noch war das Silizium noch zu verunreinigt, das man keinen einzigen stabilen MOS-Transistor herstellen konnte. Das änderte sich aber im Herbst 1968 als man einfach beim Herstellen des Monokristallinen Siliziums Phosphor hinzu gab.
Und bald darauf lieferte Intel® seinen ersten Speicherbaustein: Den Intel® 3101. Das ist ein bipolares 64-bis-RAM-Speichermodul.
Moore sah einen MOS-Durchbruch erst in ca. 5 Jahren, aber 1 Jahr nach der Firmengründung kam der Intel 1101 als erster MOS-Baustein auf den Markt. Im Juli 1969 arbeiteten die Intel®-Mitarbeiter an der Erweiterung des 1101. Sie wollten dafüt Sorgen das MOS in kurzer Zeit den Markt erobert. Und sie hatten gute Chancen dabei, denn im Gegensatz zur Bipolar-Technuk versprach die MOS-Technik hohe Speichervolumen zu realistischen Preisen mit angemessenem Energieverbrauch und Wärmeabgabe. Doch trotz das die MOS-Bausteine weniger Wärme abgaben, so brauchte man doch noch Kühlgeräte und diese standen bei der Fortschreitung der VLSI im Wege.
Im Oktober 1970 kommt der erste DRAM-Speicherbaustein auf den Markt. Genannt wurde er 1103 der neben der MOS-Technik auch noch über eine wegweisende VLSI verfügt. Heute ist ein DRAM ein Standart-Speicherbaustein.
Doch die 1103-Geschichte endete im Drama: Nur ein Drittel des vorgesehenen Preises konnte verlangt werden und so lernte das noch junge Unternehmen das man Produkte so günstig wie nur möglich anbieten und deshalb auch so billig wie möglich herstellen muss.
Aber der 1103 hatte auch etwas Gutes. Er deklassierte den Magnetkernspeicher und nachdem Intel® seine Wirtschaftslektion gelernt hatte wurde der 1103 anderthalb-Jahre nach der Markteinführung zum meistverkauften Halbleiterbaustein der Welt. Schon 1965 erkannte Moore die anscheinende Gesetzmäßigkeit, dass sich die Integrationsdichden von Chips alle 24 Monate verdoppeln - diese Gesetzmäßigkeit konnte er nun bei Intel noch genauer verfolgen.
1971 wirde der programmierbare nur-Lese-Speicher fast zufällig bei Intel erfunden. Auf diedem Speicherbausteinen kann man mit einem speziellen Brenner Daten speichern, die auch nach dem Ausschalten des Stromes verhanden bleiben. Durch UV-Licht können sie wieder gelöscht werden. Das EEPROM ist die moderne Variante des 1971 erfundenen EPROM und ist elekrtonisch löschbar. Das EPROM wurde zu einem der größten Erfolge von Intel®.
Erfolg mit Mikroprozessoren:
Das Produzieren von Mikroprozessoren war bei Intel® ursprünglich gar nicht eingeplant. Doch schon 1969 beauftragt die japanische Firma Busicom Intel® einen Mikroprozessor zu bauen um eine programmierbare Rechenmachine herzustellen. Nach Meinung von Busicom wären dazu 12 Halbleiterbausteine in einem Design nötig gewesen. Doch Ted Hoff hielt das ganze schon mit 4 Halbleiterbausteinen für möglicht. Jedoch müsste nur noch Allround-Logik-Baustein vorhanden sein. Damit wäre das Design sogar besser als das von den Japanern vorgeschlagene.
© by Stefan Landsiedel